三维四层单元NAND闪存关键技术研究

三维闪存设计论文 QLC技术论文 浮栅技术论文 电荷捕获技术论文 格雷编码映射论文 LDPC置信译码
论文详情
摘要第4-6页
Abstract第6-7页
1 绪论第10-20页
    1.1 本文研究的背景第10-14页
    1.2 NAND闪存技术的国内外研究现状第14-16页
    1.3 本文研究的主要内容及创新点第16-18页
    1.4 本文的组织结构第18-20页
2 3D NAND存储器读写机制与架构第20-53页
    2.1 NAND Flash读写机制第20-42页
    2.2 3D NAND Flash存储器物理架构第42-51页
    2.3 本章小结第51-53页
3 QLC NAND Flash研究和设计第53-76页
    3.1 F-N隧穿效应与QLC NAND数据存储第53-56页
    3.2 QLC NAND写读操作机制研究与设计第56-61页
    3.3 QLC NAND改进型写算法研究第61-64页
    3.4 3D QLC NAND闪存存储器结构与芯片设计第64-75页
    3.5 本章小结第75-76页
4 3D NAND数据错误及QLC改进型数据映射第76-93页
    4.1 3D NAND的数据错误第76-80页
    4.2 QLC NAND的改进型格雷码编码设计与实现第80-91页
    4.3 本章小结第91-93页
5 QLC NAND ECC纠错和Soft-bit信息生成第93-113页
    5.1 NAND数据模型及编码第93-95页
    5.2 ECC算法第95-102页
    5.3 QLC soft-bit信息生成与实现第102-112页
    5.4 本章小结第112-113页
6 总结和展望第113-115页
致谢第115-116页
参考文献第116-127页
附录1 攻读博士学位期间发表的学术论文情况第127-128页
附录2 缩略语第128-129页
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