作为一种重要的微电子薄膜材料,Si已在超大规模集成电路(VLSI)、太阳电池、液晶显示、记忆存储以及特种半导体器件中都获得了成功的应用。近年,随着各类纳米薄膜材料与纳米量子器件的兴起,具有纳米晶粒多晶Si薄膜的结构制备与电学特性的研究也引起了广泛的关注。氧化锌(ZnO)是Ⅱ-Ⅵ族直接宽带隙半导体(室温带隙3.37eV),因为具有较高的激子束缚能(60meV),使得它成为理想的下一代紫外发光二极管和激光二极管的候选材料。把ZnO和Si两种材料的光电性质结合到一起,将在光电领域具有极其重要的意义。目前这方面的研究工作多数都集中于在Si衬底上生长和制作ZnO的薄膜器件和纳米结构等研究上,而作为纳米粒子的发光效率被认为要比薄膜和一维纳米材料高得多。本文首先利用射频磁控溅射技术制备了Si掺杂ZnO薄膜,然后以不同的退火温度对样品进行热处理。利用X射线衍射(XRD),共振拉曼和光致发光(PL)研究了Si掺杂ZnO薄膜的结构及发光性质。研究表明,在Si掺杂ZnO薄膜中生成了ZnO纳米粒子。随着退火温度的升高,ZnO纳米粒子的结晶性变好,并且粒子半径逐渐增大。ZnO的可见区发射随着退火温度的升高逐渐增强,这对制作ZnO白光LED有很重要的意义。变温光致发光结果表明,Si掺杂ZnO薄膜中的杂质Si增强了ZnO中的束缚激子能量,从而增强紫外发光。本文还利用直流磁控溅射技术制备出Al包埋纳米Si薄膜,并以不同退火温度对样品进行热处理,得到了Al2O3包埋纳米Si薄膜。利用X射线衍射(XRD)和光致发光(PL)对样品的结构和发光性质进行了研究。结果表明Al2O3薄膜中存在Si纳米晶,其半径随退火温度的升高而变小。室温下,观察到了位于2.07-3.02eV的较强可见光致发光,其发光强度随退火温度不同而发生变化。分析表明可见区发光与Al2O3中的Si纳米品及其与Al2O3的界面缺陷相关。