Mg2X(X=Si,Ge,Sn)二元合金性能第一性原理研究

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镁合金具有“二十一世纪绿色工程材料”之称,在实用金属材料中属于最轻的材料,具有密度低(1.8g/cm3),散热性好,高强度,高刚度,屏蔽性好,消震性好,回收利用率高等优点。被广泛应用在运输领域、3C产品领域(通讯、计算机和消费类电子产品)、航空航天领域等。Mg2X(X=Si,Ge,Sn)合金是一种很具有发展潜力材料,在金属间化合物中是一种常见的类型,资源丰富,其晶体结构属于CaF2(面心立方)。Mg2X(X=Si,Ge,Sn)金属间化合物具有耐高温、高熔点、低热导率、高硬度、高电导率、耐腐蚀等优点,在电子零件,能量元件等领域具有重要的应用前景。本文采用基于密度泛函理论的第一性原理方法,以化合物Mg-Si,Mg-Ge,Mg-Sn合金为研究对象,结合Materials Studio 8.0软件中CASTEP模块,计算了与其相关的结构参数、力学性能、热力学性质、电子性能及压力作用对其影响情况。在0GPa下计算了Mg2X(X=Si,Ge,Sn)金属化合物的结构参数、力学性能与电子性能,计算结果与实验研究及其它理论结果比较吻合,说明计算方法真实可靠。研究结果表明:三者形成热均为负数,表明三者均能够形成稳定的化合物。Mg2Ge晶体更容易形成,合金化能力较强,Mg2Si合金结构最稳定。Mg2X(X=Si,Ge,Sn)合金均属于脆性材料,且均具有金属性质,他们之间的抵抗变形能力、抗剪切应变能力和刚度大小排列均为:Mg2Si>Mg2Ge>Mg2Sn;三种合金的共价键强弱排列为:Mg2Si<Mg2Ge<Mg2Sn。研究了压力对Mg2X(X=Si,Ge)合金性能的影响,结果表明:在0-10GPa间,Mg2Si和Mg2Ge均表现为脆性,当压力达到15GPa时,Mg2Si和Mg2Ge均开始表现出延性性质;同时随着压力的增加,材料的塑性均有所提升。在0-1000K下Mg2Si和Mg2Ge相的德拜温度和体模量均随温度的增加而降低;在相同温度下,德拜温度和体模量均随压力的增大而增大。等容热容Cv、等压热容Cp,均随压力的增大而降低,Mg2Ge的热容值高于Mg2Si。对Mg2X(X=Si,Ge)合金进行了合金化处理,掺杂合金元素Bi之后,形成能力有所下降,合金元素Bi掺杂Mg2X(X=Si,Ge)相容易取代X原子位置。结构稳定性排列为:Mg7X4Bi>Mg8X4>Mg8X4Bi>Mg8X3Bi。Mg8X3Bi合金虽然最容易形成,但是结构最不稳定。合金元素Bi的掺杂使Mg2X(X=Si,Ge)合金由脆性材料转换为延性材料,塑性增强,刚度降低,Mg7Ge4Bi的塑性强于Mg7Si4Bi合金。同时抗变形能力与抗塑性变形能力均降低。费米面向高能级区域跃迁,使得费米能级所对应的电子态密度增大,掺杂使Mg2X(X=Si,Ge)合金的导电性能增强,Mg7Si4Bi的导电性能强于Mg7Ge4Bi。研究Mg16X8(X=Si,Ge)晶胞含有点缺陷时性能情况,缺陷的存在致使晶胞晶格原子出现不规则排列,晶胞体积膨胀,晶格常数变大。在同一位置,空位缺陷比反位缺陷更容易形成。缺陷在Mg位置比在X(X=Si,Ge)位置结构更加稳定。同时缺陷会降低材料的抵抗变形能力、抗剪切应变能力及刚度。当同一位置产生反位缺陷时,晶胞的抗剪切应变能力和刚度较强,塑性和延性较弱。Mg16Ge8晶胞中,在Mg位置产生缺陷时,晶体抗体积变形能力、抗剪切应变能力及刚度更强,塑性及延性较弱。
摘要第4-6页
abstract第6-8页
第1章 绪论第12-19页
    1.1 镁合金概述第12-13页
    1.2 镁合金的强化第13-15页
    1.3 镁合金的应用第15-17页
    1.4 课题研究意义第17页
    1.5 课题研究内容第17-19页
第2章 第一性原理介绍第19-28页
    2.1 密度泛函理论第19-22页
        2.1.1 Hohenberg-Kohn定理第20页
        2.1.2 Kohn-Sham方程第20-22页
    2.2 近似方法第22-24页
        2.2.1 非相对论近似第22-23页
        2.2.2 绝热近似(Born-Oppenheimer近似)第23-24页
        2.2.3 单电子近似(Hartree-Fock近似)第24页
    2.3 平面波赝势方法第24-26页
        2.3.1 模守恒赝势第25页
        2.3.2 超软赝势第25-26页
    2.4 CASTEP模块介绍第26页
    2.5 研究方法第26-28页
第3章 第一性原理研究Mg_2X(X=Si,Ge,Sn)合金电子性能第28-37页
    3.1 引言第28页
    3.2 计算方法与模型第28-30页
        3.2.1 计算模型第28-29页
        3.2.2 计算方法第29-30页
    3.3 结果分析第30-36页
        3.3.1 形成热与结合能第30-31页
        3.3.2 弹性性质第31-33页
        3.3.3 电子性质第33-36页
    3.4 本章小结第36-37页
第4章 压力对Mg_2X(X=Si,Ge)合金电子性能的影响第37-47页
    4.1 引言第37页
    4.2 计算模型与方法第37-39页
        4.2.1 计算模型第37-38页
        4.2.2 计算方法第38-39页
    4.3 结果讨论第39-45页
        4.3.1 压力对晶体结构的影响第39-40页
        4.3.2 弹性性质第40-42页
        4.3.3 热力学性质第42-45页
    4.4 本章小结第45-47页
第5章 合金元素Bi掺杂Mg_2X(X=Si,Ge)合金性能研究第47-56页
    5.1 引言第47页
    5.2 计算方法与模型第47-49页
        5.2.1 计算模型第47-49页
        5.2.2 计算方法第49页
    5.3 结果讨论第49-55页
        5.3.1 形成热与结合能第49-51页
        5.3.2 弹性性能第51-52页
        5.3.3 电子性质第52-55页
    5.4 本章小结第55-56页
第6章 Mg_2X(X=Si,Ge)合金点缺陷第一性原理研究第56-67页
    6.1 引言第56页
    6.2 计算模型与方法第56-58页
        6.2.1 计算模型第56-57页
        6.2.2 计算方法第57-58页
    6.3 结果讨论第58-65页
        6.3.1 晶格常数第58-59页
        6.3.2 形成热第59-61页
        6.3.3 弹性性能第61-65页
    6.4 本章总结第65-67页
第7章 本文总结第67-69页
参考文献第69-75页
攻读硕士学位期间发表的论文及所取得的研究成果第75-76页
致谢第76-77页
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