铁离子辐照GaP和GaN晶体微结构损伤研究

磷化镓论文 氮化镓论文 微结构损伤论文 离子辐照论文
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摘要第8-9页
Abstract第9-10页
第一章 绪论第11-23页
    1.1 引言第11页
    1.2 半导体的概念第11-14页
        1.2.1 半导体的发展第12-14页
    1.3 III-V族半导体概括第14-20页
        1.3.1 III-V族半导体的特性第14-17页
            1.3.1.1 氮化镓(GaN)的性质第16页
            1.3.1.2 磷化镓(GaP)的性质第16-17页
        1.3.2 GaN与GaP半导材料的应用第17-18页
        1.3.3 GaN与GaP材料研究现状第18-20页
    1.4 本论文的选题思路及内容第20-21页
    参考文献第21-23页
第二章 实验内容第23-31页
    2.1 材料的制备第23页
    2.2 离子辐照实验第23-26页
        2.2.1 离子束辐照技术简介第23-25页
        2.2.2 入射离子与靶物质之间的作用第25-26页
    2.3 重离子辐照实验第26-28页
        2.3.1 HIRFL-SFC第27-28页
    2.4 样品表征方法第28-31页
        2.4.1 X射线衍射谱(XRD)第28页
        2.4.2 拉曼光谱(Raman)第28-29页
        2.4.3 傅里叶红外光谱(Fourier Transform infrared spectroscopy)第29-30页
        2.4.4 光致发光谱第30-31页
第三章 ~(56)Fe~(13+)离子辐照GaP晶体的数据分析第31-35页
    3.1 引言第31页
    3.2 实验第31页
    3.3 结果分析第31-34页
        3.3.1 XRD分析第31-32页
        3.3.2 拉曼分析第32-33页
        3.3.3 红外光谱分析第33-34页
    3.4 本章小结第34-35页
第四章 ~(56)Fe~(21+)离子辐照GaN晶体的数据分析第35-40页
    4.1 引言第35页
    4.2 实验第35页
    4.3 结果分析第35-39页
        4.3.1 XRD分析第35-36页
        4.3.2 拉曼光谱分析第36-37页
        4.3.3 光致发光谱分析第37-39页
    4.4 本章小结第39-40页
第五章 总结与展望第40-41页
参考文献第41-43页
附录:本人攻读硕士学位期间发表的论文第43-44页
致谢第44页
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