| 提要 | 第4-8页 |
| 第一章绪论 | 第8-29页 |
| 1.1 ZnO 材料结构与基本特性 | 第9-12页 |
| 1.2 ZnO 薄膜发光特性研究进展 | 第12-14页 |
| 1.3 ZnO 薄膜掺杂及ZnO 器件研究进展 | 第14-24页 |
| 1.3.1 n 型掺杂的ZnO 材料 | 第14-15页 |
| 1.3.2 p 型掺杂的ZnO 材料 | 第15-19页 |
| 1.3.3 ZnO 基三元材料的研究 | 第19-21页 |
| 1.3.4 关于ZnO 器件的研究 | 第21-24页 |
| 1.4 ZnO 材料的应用 | 第24-27页 |
| 1.5 本论文的主要研究内容 | 第27-29页 |
| 第二章ZnO 材料的制备方法与相关测试方法 | 第29-46页 |
| 2.1 ZnO 材料的制备方法 | 第29-35页 |
| 2.1.1 磁控溅射法制备ZnO 薄膜 | 第29-33页 |
| 2.1.2 溶胶凝胶（sol-gel）法制备纳米ZnO 粉体 | 第33-35页 |
| 2.2 薄膜材料与纳米材料的表征方法 | 第35-46页 |
| 2.2.1 霍尔效应原理及应用 | 第36-38页 |
| 2.2.2 X 射线衍射方法（XRD）测量晶体结构 | 第38-40页 |
| 2.2.3 光致发光谱（PL）的测量 | 第40-42页 |
| 2.2.4 X 射线光电子能谱（XPS） | 第42-43页 |
| 2.2.5 透射-反射谱（Transmission and reflection spectra） | 第43-44页 |
| 2.2.6 其他测试方法 | 第44-46页 |
| 第三章Ar 气氛下磁控溅射制备AZO 透明导电薄膜及发光器件 | 第46-72页 |
| 3.1 AZO 透明导电薄膜生长机理 | 第46-49页 |
| 3.2 AZO 透明导电薄膜特性随衬底温度变化研究 | 第49-56页 |
| 3.2.1 AZO 透明导电薄膜制备 | 第49-50页 |
| 3.2.2 AZO 薄膜的XRD 测试分析 | 第50-52页 |
| 3.2.3 AZO 薄膜的霍尔测试 | 第52-55页 |
| 3.2.4 AZO 薄膜的透射谱 | 第55-56页 |
| 3.3 AZO 透明导电薄膜特性随工作气压变化的研究 | 第56-60页 |
| 3.3.1 AZO 薄膜的XRD 测试 | 第56-58页 |
| 3.3.2 电学特性分析 | 第58-59页 |
| 3.3.3 透射谱测试 | 第59-60页 |
| 3.4 AZO 异质结发光器件的制备及表征 | 第60-70页 |
| 3.4.1 器件的制作过程 | 第62页 |
| 3.4.2 器件的XRD 测试 | 第62-64页 |
| 3.4.3 光学特性分析 | 第64-65页 |
| 3.4.4 AZO/n-GaAS 器件与AZO/p-Si 器件的电致发光 | 第65-67页 |
| 3.4.5 AZO/p-Si 器件光电特性 | 第67-70页 |
| 3.5 本章小结 | 第70-72页 |
| 第四章磁控溅射法在背景Ar 气中掺H_2制备AZO 薄膜 | 第72-98页 |
| 4.1 AZO 薄膜特性随掺H2量变化研究 | 第74-82页 |
| 4.1.1 样品的制备及表征的手段 | 第74页 |
| 4.1.2 XRD 测试及SEM 表征 | 第74-79页 |
| 4.1.3 电学特性及化学成分测量 | 第79-81页 |
| 4.1.4 透射谱 | 第81-82页 |
| 4.2 背景Ar 气中掺H_2 制备的AZO 薄膜特性随衬底温度变化研究 | 第82-89页 |
| 4.2.1 X 射线衍射、扫描电镜测试 | 第82-86页 |
| 4.2.2 电学性质变化 | 第86-88页 |
| 4.2.3 光学性质 | 第88-89页 |
| 4.3 低温H_2掺杂制备AZO 薄膜及特性研究 | 第89-96页 |
| 4.3.1 AZO 薄膜样品制备过程 | 第89页 |
| 4.3.2 AZO 薄膜的XRD 及SEM 测量 | 第89-92页 |
| 4.3.3 透射及电学特性分析 | 第92-93页 |
| 4.3.4 XPS 光电子能谱分析 | 第93-96页 |
| 4.4 本章小结 | 第96-98页 |
| 第五章ZnO 粉体的制作及气敏特性的研究 | 第98-124页 |
| 5.1 ZnO 半导体气体传感器的敏感机理 | 第99-105页 |
| 5.1.1 气体传感器简介 | 第99-102页 |
| 5.1.2 ZnO 表面电导型气敏元件的工作原理 | 第102-105页 |
| 5.2 ZnO 气敏材料的制备及表征 | 第105-112页 |
| 5.2.1 纳米ZnO 制备方法概述 | 第105-108页 |
| 5.2.2 纳米ZnO 粉体材料的制备及表征 | 第108-112页 |
| 5.3 ZnO 气敏元件的制备及其气敏性能研究 | 第112-122页 |
| 5.3.1 气敏元件的制作工艺 | 第112-114页 |
| 5.3.2 纯ZnO 元件气敏特性的测试与分析 | 第114-121页 |
| 5.3.3 以TiO_2材料为掺杂剂元件的研制 | 第121-122页 |
| 5.4 本章小结 | 第122-124页 |
| 结论 | 第124-126页 |
| 参考文献 | 第126-137页 |
| 攻读博士学位期间发表学术论文情况 | 第137-138页 |
| 致谢 | 第138-140页 |
| 摘要 | 第140-142页 |
| Abstract | 第142-144页 |
