大功率IGBT驱动技术研究

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大功率IGBT在电力电子装置中需承受极高的电压、电流应力及短路故障等恶劣的工作环境,IGBT驱动器作为连接控制电路和功率电路的桥梁,直接决定了IGBT的运行性能,通过高效可靠的IGBT驱动器能使大功率IGBT运行在优化的工作状态并能处理各种故障状态。经过研究分析IGBT内部结构、工作特性及失效机理,提出了大功率IGBT驱动器需满足的驱动条件及保护要求。本文分别基于模拟电路和数字处理器FPGA分别设计了针对IHM 130 X 140mm和Prime PACKTM封装的即插即用的大功率IGBT驱动器。论文首先分析了IGBT内部结构及载流子运动特点,并与外部工作特性相结合,进行了IGBT失效机理研究。研究指出通过驱动电压的选择可控制IGBT的工作区,通过门极电阻的选择可控制IGBT开关速度;进而提出基于反馈思想抑制关断尖峰电压的保护控制策略,设计了有源钳位与di/dt反馈电路,并优化了反馈回路关键参数,同时采用基于恒流源的UCE检测电路与软关断电路有效的防止了大功率IGBT由于短路故障引起热击穿现象的发生。论文基于模拟电路设计了针对IHM 130 X 140mm封装的单管大功率IGBT驱动器,包括DC/DC隔离辅助电源、信号调理电路、辅助源欠压保护、基于UCE检测的短路保护电路、有源钳位电路和di/dt反馈电路等部分。建立了双脉冲实验平台与半桥实验平台,对驱动板在各种工况下进行了测试,验证了所设计的驱动板的有效性及可靠性。论文继续研究了目前新能源并网场合大量应用的Prime PACKTM封装半桥大功率IGBT驱动器,针对采用模拟电路的驱动器存在的不足,论文采用以FPGA为驱动器系统信号处理的核心,能方便和准确地安排驱动与保护信号时序,有效的解决模拟电路中控制电路复杂和不一致等缺陷。论文提出了一种双N-MOSFET推动级电路结构,并与软关断电路配合,在短路故障时导通,能够极大的减小短路保护时尖峰电压值。最后,通过双脉冲实验平台进行有源钳位及短路保护验证,在半桥实验平台模拟不同开关频率下高电压、大电流应用,实验结果表明,基于FPGA的半桥型驱动器响应速度快,具备完善的保护功能,能够应用于不同的工业应用场合。
摘要第4-5页
Abstract第5页
第一章 绪论第8-17页
    1.1 研究背景第8-9页
    1.2 研究现状第9-15页
        1.2.1 IGBT驱动器研究现状第9-11页
        1.2.2 IGBT尖峰电压抑制研究第11-14页
        1.2.3 IGBT短路保护研究第14-15页
    1.3 论文结构安排第15-17页
第二章 IGBT原理及驱动要求第17-30页
    2.1 概述第17页
    2.2 IGBT的基本原理介绍第17-22页
        2.2.1 IGBT的基本结构和工作原理第17-18页
        2.2.2 IGBT的工作特性第18-20页
        2.2.3 IGBT失效机理及安全工作区第20-22页
    2.3 IGBT驱动要求及方案论证第22-29页
        2.3.1 栅极驱动要求第23-24页
        2.3.2 隔离要求第24页
        2.3.3 推动级要求第24-26页
        2.3.4 尖峰电压保护要求第26-27页
        2.3.5 短路保护要求第27-29页
    2.4 本章总结第29-30页
第三章 基于模拟电路的大功率IGBT通用型驱动器第30-46页
    3.1 概述第30页
    3.2 驱动器结构及组成第30-36页
        3.2.1 辅助源电路第31-33页
        3.2.2 信号调理电路第33页
        3.2.3 短路检测及保护电路第33-34页
        3.2.4 关断尖峰电压抑制第34-35页
        3.2.5 状态反馈第35-36页
    3.3 实验结果第36-45页
        3.3.1 双脉冲实验第37-40页
        3.3.2 与Concept驱动器1SD536F2实验对比第40-43页
        3.3.3 半桥连续PWM实验第43-45页
    3.4 本章总结第45-46页
第四章 基于FPGA的半桥型大功率IGBT驱动器第46-59页
    4.1 概述第46页
    4.2 驱动器的结构及组成第46-51页
        4.2.1 FPGA模块第47-49页
        4.2.2 双N-MOSFET构成的推动级电路第49-50页
        4.2.3 软关断电路第50-51页
    4.3 实验结果第51-58页
        4.3.1 双脉冲实验第52-54页
        4.3.2 与飞仕得半桥型驱动器2FSD1038PD对比第54-56页
        4.3.3 半桥连续PWM实验第56-58页
    4.4 本章总结第58-59页
第五章 结论和展望第59-61页
    5.1 本文总结第59页
    5.2 对大功率IGBT驱动技术的展望第59-61页
致谢第61-62页
参考文献第62-66页
攻读硕士期间研究成果和发表的论文第66页
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论文编号ABS3354160,这篇论文共66页
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