| 摘要 | 第4-6页 |
| Abstract | 第6-7页 |
| 第一章 绪论 | 第14-30页 |
| 1.1 研究背景 | 第14-15页 |
| 1.2 SiC的性质和应用领域 | 第15-20页 |
| 1.2.1 SiC的性质 | 第15-17页 |
| 1.2.2 SiC的应用领域 | 第17-20页 |
| 1.3 材料辐照效应 | 第20-26页 |
| 1.3.1 基本理论 | 第20-24页 |
| 1.3.1.1 辐照损伤基础 | 第20-22页 |
| 1.3.1.2 dpa计算 | 第22-23页 |
| 1.3.1.3 气泡形成与长大 | 第23-24页 |
| 1.3.2 研究方法 | 第24-26页 |
| 1.4 He离子辐照SiC材料的研究意义及国内外研究现状 | 第26-28页 |
| 1.4.1 He离子辐照SiC的意义 | 第26页 |
| 1.4.2 国内外研究现状 | 第26-28页 |
| 1.5 本论文研究目的、内容及技术路线 | 第28-30页 |
| 1.5.1 研究目的和内容 | 第28-29页 |
| 1.5.2 技术路线 | 第29-30页 |
| 第二章 实验材料与方法 | 第30-36页 |
| 2.1 实验对象 | 第30页 |
| 2.2 离子辐照实验 | 第30-34页 |
| 2.2.1 He离子辐照实验方案 | 第30页 |
| 2.2.2 SRIM模拟 | 第30-31页 |
| 2.2.3 退火实验方案 | 第31-33页 |
| 2.2.3.1 TEM观察SiC截面样品的实验方案 | 第32页 |
| 2.2.3.2 SEM观察SiC试样的实验方案 | 第32-33页 |
| 2.2.4 氦离子辐照平台 | 第33-34页 |
| 2.3 微观组织结构分析 | 第34-36页 |
| 2.3.1 TEM样品的制备 | 第34-35页 |
| 2.3.2 SEM样品的制备 | 第35-36页 |
| 第三章 低剂量氦离子辐照SiC的实验结果及分析 | 第36-45页 |
| 3.1 辐照态SiC的微观组织 | 第36页 |
| 3.2 辐照退火SiC的微观组织 | 第36-43页 |
| 3.2.1 退火时间的影响 | 第36-42页 |
| 3.2.2 退火温度的影响 | 第42-43页 |
| 3.3 结果分析 | 第43-44页 |
| 3.4 本章小结 | 第44-45页 |
| 第四章 高剂量氦离子辐照SiC的实验结果及分析 | 第45-64页 |
| 4.1 常温辐照 | 第45-53页 |
| 4.1.1 辐照态SiC的微观组织 | 第45-46页 |
| 4.1.2 退火态SiC的微观组织 | 第46-49页 |
| 4.1.3 结果分析 | 第49-53页 |
| 4.2 400℃辐照 | 第53-62页 |
| 4.2.1 辐照态SiC的微观组织 | 第53页 |
| 4.2.2 退火态SiC的微观组织 | 第53-59页 |
| 4.2.2.1 退火温度的影响 | 第53-56页 |
| 4.2.2.2 退火时间的影响 | 第56-59页 |
| 4.2.3 结果分析 | 第59-62页 |
| 4.3 本章小结 | 第62-64页 |
| 第五章 SiC试样表面起皮、起泡实验结果及分析 | 第64-69页 |
| 5.1 低剂量氦离子辐照并退火后的SiC表面形貌 | 第64-65页 |
| 5.2 高剂量氦离子常温辐照并退火后SiC的表面形貌 | 第65-67页 |
| 5.3 高剂量氦离子400℃辐照并退火后SiC的表面形貌 | 第67-68页 |
| 5.4 结果分析 | 第68页 |
| 5.5 本章小结 | 第68-69页 |
| 第六章 结论 | 第69-71页 |
| 参考文献 | 第71-78页 |
| 致谢 | 第78-79页 |
| 学术成果 | 第79页 |
