Cu-Ni-Si合金微结构及相变的计算与模拟

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Cu-Ni-Si合金是一种优良的高强高导引线框架材料,其性能主要决定于δ-Ni2Si析出相的形状、大小和分布等。鉴于Cu-Ni-Si合金发展和性能进一步提高的需要,本文利用第一性原理和相场法,对其进行了系统研究。计算了析出相的热力学稳定性与电子结构。首次理论确定了调幅分解组织((Cu,Ni)3Si)的晶体常数与结构类型。基于Cahn-Hilliard(CH)和Allen-Cahn(AC)方程,分别建立了Cu-Ni-Si三元合金调幅分解、时效析出以及再结晶晶粒长大的相场法数学模型,在模型中直接耦合了CALPHAD热力学和动力学计算,并考虑了弹性能、界面能各向异性的影响。编制了相关计算机模拟程序,对Cu-Ni-Si合金时效过程中微观结构的演变进行了模拟,探讨了该合金的调幅分解、时效析出的相变动力学机制,揭示了含有弥散分布δ析出相粒子的系统中再结晶晶粒长大规律。为客观地验证模拟结果,本文也做了相关实验,并结合国、内外他人的实验结果与模拟结果进行了比对,其主要结果得到了印证。因此,本文的模拟结果在一定程度上可以为Cu-Ni-Si合金的研究和实际生产提供理论指导及帮助。同时,本文的研究工作也丰富了相场模型在固态相变领域中的应用。基于第一性原理平面波赝势方法,计算了Cu-Ni-Si合金中调幅分解组织和析出相的形成热、结合能和电子结构等,首次得出调幅结构的类型和析出相的稳定序列。DO22-I的形成热和结合能分别为-0.975eV·atom-1和-5.388eV·atom-1,其绝对值是所有可能的调幅结构(L12、DO22和DO23)中最大的。因此,在Cu-Ni-Si合金时效早期的调幅分解过程中,最可能产生的结构为DO22-I。计算得到的δ-Ni2Si、γ-Ni5Si2和β-Ni3Si晶格常数与相关试验结果相符合,其相对误差均小于1%。结合能和形成热的计算结果表明,三种析出相在热力学上都是稳定结构,其从高到低的结构稳定序列为:δ-Ni2Si>γ-Ni5Si2>β-Ni3Si。电子结构分析结果表明,三种析出相都具有稳定结构的主要原因是由于Ni-3d和Si-3p之间的强烈杂化所致。利用建立的三元合金调幅分解的相场模型,对Cu-Ni-Si合金的时效过程进行了模拟研究。结果表明,Cu-Ni-Si合金在723K和673K温度时效的早期发生了调幅分解相变。忽略弹性应变能作用时,形成富Cu和富Ni、Si的两相混合物,呈半联通的迷宫状分布。考虑弹性应变能作用时,其分解组织呈现出明显的各向异性特征,沿[10]和[01]方向排列。浓度剖面以及相关函数分析表明,计算的调制波长在10.412.6 nm范围内。化学成分不变时,随时效温度的降低,调制波长稍有减小;时效温度恒定时,随Ni和Si含量的增加,调制波长略有增大。理论计算了盘形δ-Ni2Si的本征应变以及共格和半共格界面能(227 J·m-2,492 J·m-2),确定了相场模型与热力学和动力学数据之间的关系,建立了多元合金时效析出相变的相场模型,模型中同时考虑了界面能和弹性能各向异性的影响。基于这个模型,首次计算机模拟了Cu-Ni-Si合金中盘形δ-Ni2Si析出相的析出长大过程,基于Avrami方程形式,得到了该合金的析出动力学方程。对单个δ析出相的模拟结果表明,弹性能各向异性促进了δ析出相沿长度方向(径向)的长大,界面能各向异性促进了δ析出相沿厚度方向的长大,在界面能和弹性能各向异性的共同作用下,最终导致δ-Ni2Si析出相的形态呈盘状。对多个δ-Ni2Si析出相的模拟结果表明,当一个析出相粒子与另一不同位向的析出相粒子碰撞,则停止长大,结果形成“T”字型;当两个位向相同的析出相粒子相遇时,如果二者之间距离非常近,它们会连接在一起,或者直接合并粗化。因此,盘形δ析出相的粗化特征完全不同于球形析出相的粗化特征。建立了第二相粒子对晶粒长大影响的相场模型,并针对Cu-Ni-Si合金再时效过程中δ-Ni2Si析出相对再结晶晶粒长大的影响进行了模拟。结果表明,弥散分布的δ-Ni2Si粒子表现出强烈钉扎晶界的作用。再结晶晶粒长大初期符合n=0.150.35的指数长大规律,明显小于纯单相系统的长大指数(n = 0.5),然后逐渐趋于停滞。n与系统单位面积所含的粒子数量高度相关,单位面积所含的粒子数量越多,n的数值越小。其最终的平均晶粒尺寸符合β= 1.41和b = 0.49的Zener关系。
摘要第3-5页
ABSTRACT第5-7页
第1章 绪论第12-41页
    1.1 引言第12-13页
    1.2 引线框架用Cu-Ni-Si 合金的国内外研究进展第13-17页
        1.2.1 Cu-Ni-Si 合金的合金化第13-14页
        1.2.2 Cu-Ni-Si 合金的时效第14-16页
        1.2.3 Cu-Ni-Si 合金的强化机理第16页
        1.2.4 时效对Cu-Ni-Si 性能的影响第16-17页
    1.3 材料的计算机模拟第17-29页
        1.3.1 相场模型第19-24页
        1.3.2 相场模型在固态相变方面的研究进展第24-29页
    1.4 本文研究的主要内容第29-30页
    参考文献第30-41页
第2章 Cu-Ni-Si 合金的第一性原理研究第41-66页
    2.1 引言第41页
    2.2 第一性原理第41-45页
        2.2.1 密度泛函理论(DFT)第42-43页
        2.2.2 Kohn-Sham 方程第43-44页
        2.2.3 赝势方法第44-45页
    2.3 计算方法第45-47页
        2.3.1 交换关联势第46页
        2.3.2 赝势第46页
        2.3.3 截断能第46页
        2.3.4 K-point 取样第46-47页
        2.3.5 FFT 格子维度第47页
    2.4 面心有序结构的第一性原理研究第47-54页
        2.4.1 晶体结构建模第48-51页
        2.4.2 形成热与结合能第51-52页
        2.4.3 结果与分析第52-54页
    2.5 析出相的第一性原理研究第54-61页
        2.5.1 晶体模型与计算参数第54-55页
        2.5.2 计算结果与分析第55-61页
    2.6 本章小结第61-63页
    参考文献第63-66页
第3章 相场法模拟Cu-Ni-Si 合金的调幅分解第66-98页
    3.1 引言第66-69页
        3.1.1 调幅分解理论(Spinodal Decomposition)第66-68页
        3.1.2 Cu-Ni-Si 合金调幅分解的研究现状第68页
        3.1.3 本章研究内容第68-69页
    3.2 相场法模型第69-72页
        3.2.1 化学自由能第69页
        3.2.2 弹性应变能第69-71页
        3.2.3 动力学方程第71-72页
        3.2.4 动力学参数第72页
    3.3 方程数值求解第72-77页
        3.3.1 有限差分法(Finite Difference)第73-74页
        3.3.2 傅里叶谱方法(Fourier-Spectral Method)第74-75页
        3.3.3 三元合金系统相场方程的谱方法求解第75-76页
        3.3.4 程序设计第76-77页
    3.4 计算条件及模型参数确定第77-79页
        3.4.1 材料的性能参数第77页
        3.4.2 动力学参数第77-78页
        3.4.3 热力学参数第78-79页
    3.5 模拟结果与分析第79-92页
        3.5.1 忽略弹性能作用的Cu-Ni-Si 合金调幅分解模拟第79-84页
        3.5.2 弹性应变能作用下Cu-Ni-Si 合金的调幅分解模拟第84-88页
        3.5.3 Cu-Ni-Si 合金调幅分解的三维模拟第88-90页
        3.5.4 调幅分解组织的长大动力学分析第90-92页
    3.6 Cu-Ni-Si 合金调幅分解的实验研究第92-94页
    3.7 本章小结第94-96页
    参考文献第96-98页
第4章 Cu-Ni-Si 合金中δ-Ni_2Si 相的析出长大模拟第98-142页
    4.1 引言第98-99页
    4.2 相场法模型第99-113页
        4.2.1 化学自由能第100-103页
        4.2.2 界面处理第103页
        4.2.3 弹性应变能第103-110页
        4.2.4 动力学控制方程第110-113页
    4.3 模型参数确定第113-120页
        4.3.1 平衡态的解第113-114页
        4.3.2 界面能第114-116页
        4.3.3 界面厚度第116页
        4.3.4 各向异性第116-118页
        4.3.5 模拟中使用的参数计算第118页
        4.3.6 半隐式傅立叶谱方法第118-120页
        4.3.7 程序算法设计第120页
    4.4 单个δ-Ni_2Si 析出相的长大模拟第120-126页
        4.4.1 晶格步长对模拟的影响第120-121页
        4.4.2 各向异性对模拟的影响第121-122页
        4.4.3 无量纲化学迁移率M * 对模拟的影响第122页
        4.4.4 δ析出相的长大动力学第122-126页
    4.5 多个δ-Ni_2Si 析出相的长大粗化模拟第126-131页
        4.5.1 模拟条件与参数设置第126页
        4.5.2 模拟结果与分析第126-129页
        4.5.3 δ-Ni_2Si 的析出动力学研究第129-131页
    4.6 δ-Ni_2Si 析出相的模拟结果与实验对比分析第131-136页
        4.6.1 δ-Ni_2Si 析出动力学的实验分析第131-134页
        4.6.2 δ-Ni_2Si 析出相的形貌第134-136页
    4.7 本章小结第136-138页
    参考文献第138-142页
第5章 δ-Ni_2Si 析出相对再结晶晶粒长大影响的模拟第142-159页
    5.1 引言第142-143页
    5.2 晶粒长大的相场法模型建立第143-146页
        5.2.1 局域自由能密度的构造第144页
        5.2.2 Ginzburg-Landau 演变方程第144-145页
        5.2.3 方程求解第145-146页
    5.3 球形与盘形第二相粒子对晶粒长大的影响第146-150页
        5.3.1 模型参数与条件第146-147页
        5.3.2 模拟结果与分析第147-150页
    5.4 δ-Ni_2Si 粒子对再结晶晶粒长大影响的模拟第150-155页
        5.4.1 计算参数第150页
        5.4.2 模拟结果与分析第150-154页
        5.4.3 模拟结果与试验的对比第154-155页
    5.5 本章小结第155-157页
    参考文献第157-159页
第6章 结论与展望第159-163页
    6.1 结论第159-161页
    6.2 今后研究的设想与展望第161-163页
附录1 Cu-Ni-Si 合金的热力学与动力学参数第163-165页
附录2 三元合金调幅分解相场模拟流程图第165-166页
附录3 共格沉淀析出的相场模拟流程图第166-167页
附录4 弹性应变能计算(二维相场模型)第167-172页
本文的创新点第172-173页
攻读博士学位期间发表的论文及研究成果第173-175页
致谢第175-177页
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