| 摘要 | 第4-5页 |
| ABSTRACT | 第5-6页 |
| 第一章 绪论 | 第9-13页 |
| 1.1 选题背景和研究意义 | 第9-12页 |
| 1.1.1 半导体激光器的发展 | 第9-10页 |
| 1.1.2 多量子半导体阱激光器的发展 | 第10-11页 |
| 1.1.3 半导体激光器的应用 | 第11-12页 |
| 1.2 论文结构安排 | 第12-13页 |
| 第二章 半导体激光器工作原理和FP腔半导体激光器的特性 | 第13-26页 |
| 2.1 半导体激光器分类 | 第13-14页 |
| 2.2 半导体激光器的工作原理 | 第14-18页 |
| 2.2.1 粒子数反转分布 | 第14页 |
| 2.2.2 增益闽值条件 | 第14-16页 |
| 2.2.3 增益谱 | 第16页 |
| 2.2.4 名义电流密度 | 第16-18页 |
| 2.3 FP腔激光器的特性 | 第18-25页 |
| 2.3.1 光谱特性 | 第18-20页 |
| 2.3.2 远场特性 | 第20页 |
| 2.3.3 阈值电流密度 | 第20-23页 |
| 2.3.4 量子效率 | 第23-25页 |
| 2.4 本章小结 | 第25-26页 |
| 第三章 量子阱激光器的结构和原理 | 第26-40页 |
| 3.1 量子阱原理 | 第26-28页 |
| 3.1.1 掺杂的超晶格 | 第26-27页 |
| 3.1.2 量子阱激光器中载流子的能最分布 | 第27-28页 |
| 3.2 最子阱激光器的工作原理 | 第28-31页 |
| 3.2.1 量子阱内载流子的复合 | 第28页 |
| 3.2.2 量子阱激光器注入电流与增益 | 第28-30页 |
| 3.2.3 增益与量子阱厚度的关系 | 第30-31页 |
| 3.3 量子阱激光器的结构 | 第31-32页 |
| 3.4 量子阱激光器的特性 | 第32-38页 |
| 3.4.1 量子阱厚度与发射波长的关系 | 第32-33页 |
| 3.4.2 阈值电流特性 | 第33-34页 |
| 3.4.3 光谱线宽 | 第34页 |
| 3.4.4 温度特性 | 第34-35页 |
| 3.4.5 量子效率 | 第35-37页 |
| 3.4.6 光增益的偏振方向选择性 | 第37页 |
| 3.4.7 调制与噪声的关系 | 第37-38页 |
| 3.5 本章小结 | 第38-40页 |
| 第四章 1550 nm InGaAsP/InP FP腔多量子阱激光器的研制 | 第40-57页 |
| 4.1 材料的选择 | 第40-42页 |
| 4.1.1 组分的计算 | 第40-42页 |
| 4.2 FP腔的结构原理 | 第42页 |
| 4.3 MOCVD生长调试 | 第42-48页 |
| 4.3.1 MOCVD生长 | 第42-44页 |
| 4.3.2 MOCVD生长调试过程 | 第44-48页 |
| 4.4 晶体测试及分析 | 第48-51页 |
| 4.4.1 XRD | 第48-49页 |
| 4.4.2 光荧光PL测试 | 第49-51页 |
| 4.5 研制全结构的多量子阱激光器 | 第51-56页 |
| 4.5.1 生长全结构1550nm FP腔量子阱激光器 | 第51-52页 |
| 4.5.2 激光器的工艺 | 第52页 |
| 4.5.3 制备的激光器 | 第52-54页 |
| 4.5.4 激光器测试结果及分析 | 第54-56页 |
| 4.6 本章小结 | 第56-57页 |
| 第五章 Crosslight仿真InP/InGaAsP多量子阱激光器 | 第57-70页 |
| 5.1 crosslight介绍 | 第57-58页 |
| 5.2 LASTIP仿真过程 | 第58-62页 |
| 5.2.1 输入/输出文件 | 第58-59页 |
| 5.2.2 用户界面 | 第59-62页 |
| 5.3 1550nm InP/InGaAsP多量子阱激光器的仿真及其结果分析 | 第62-69页 |
| 5.3.1 仿真条件 | 第62-63页 |
| 5.3.2 仿真结果 | 第63-66页 |
| 5.3.3 量子阱厚度对激光器阈值电流特性的影响 | 第66-68页 |
| 5.3.4 仿真难点分析 | 第68-69页 |
| 5.4 本章小结 | 第69-70页 |
| 参考文献 | 第70-71页 |
| 致谢 | 第71页 |
