芯片堆叠封装技术是实现NAND存储器的高容量和薄型化的理想解决方案,它能够满足市场对存储器小型化和便携式的要求。但其进一步的发展却受到很多因素的制约,其中最突出的就是针对多层NAND芯片封装的结构设计,封装工艺的良品率和可靠性问题。这些问题已经对我国NAND芯片产业的进一步发展构成了瓶颈制约,并引起了国内整个行业的普遍关注。因此,迅速并有效的解决这些问题,不仅可以将极大的提升我国NAND芯片封装技术能力,也将为我国封装产业带来极大的经济价值。本文立足于我国NAND封装技术的实际能力,在认真调研国内封装技术和工艺能力的基础上,提出一种八层NAND芯片的封装结构,设计了相关的工艺加工和可靠性方案,并进一步提出优化方案,争取为我国NAND封装技术的发展做出一些贡献。本论文的主要工作有：1.提出一种新型八层NAND芯片的LFBGA封装结构。本文参考JEDEC对封装器件的求,在长为20mm,宽为16mm,封装高度为0.9mm的封装尺寸内实现八层NAND芯片的结构设计。2.提出八层NAND芯片LFBGA封装的工艺方案。在初步设计工艺方案后,针对NAND封装工艺中出现的芯片裂纹(Die Crack),芯片碎裂(Chipping)以及引线键合失效(Bond Lift)等缺陷运用试验设计方法DOE (Design of Experiment)研究,对相关工艺参数,材料进行统计分析,找出最佳方案以提高良品率,降低封装成本,从而提高我国封装企业的市场竞争力。3.提出针对八层NAND芯片封装出现的可靠性优化方案。运用试验设计方法DOE对八层NAND芯片封装中出现的柯肯达尔(Kirkendall)空洞与封装分层可靠性进行优化,提高产品的可靠性。
