摘要 | 第3-4页 |
ABSTRACT | 第4-5页 |
第一章 绪论 | 第9-25页 |
1.1 IGBT 概述 | 第9-14页 |
1.1.1 电力电子器件的发展 | 第9-10页 |
1.1.2 IGBT 发展历程 | 第10-11页 |
1.1.3 IGBT 的结构 | 第11页 |
1.1.4 IGBT 的基本特性 | 第11-14页 |
1.1.5 IGBT 功率模块 | 第14页 |
1.2 电子封装概述 | 第14-17页 |
1.2.1 电子封装的等级结构 | 第15页 |
1.2.2 电子封装中的常用材料 | 第15-16页 |
1.2.3 电子封装中的连接材料和方法 | 第16-17页 |
1.3 粉末颗粒烧结和纳米银焊膏概述 | 第17-23页 |
1.3.1 烧结过程的机制 | 第17-18页 |
1.3.2 烧结过程的驱动力 | 第18-20页 |
1.3.3 纳米银焊膏简介 | 第20-23页 |
1.4 本文研究意义及研究工作 | 第23-25页 |
1.4.1 研究意义 | 第23页 |
1.4.2 研究工作 | 第23-25页 |
第二章 机械芯片的制作 | 第25-36页 |
2.1 实验材料及切片设备 | 第25-29页 |
2.1.1 单晶硅简介 | 第25-27页 |
2.1.2 划片切割机 | 第27-28页 |
2.1.3 试样及其制备过程 | 第28-29页 |
2.2 磁控溅射工艺的研究 | 第29-36页 |
2.2.1 薄膜工程简介 | 第29-30页 |
2.2.2 溅射现象 | 第30-32页 |
2.2.3 磁控溅射技术 | 第32-33页 |
2.2.4 超高真空离子束清洗与磁控溅射镀膜设备 | 第33-34页 |
2.2.5 实验步骤与结果 | 第34-36页 |
第三章 模块的电路设计和基板制作 | 第36-45页 |
3.1 模块的电路设计 | 第36-39页 |
3.1.1 模块电路结构 | 第36-37页 |
3.1.2 模块中芯片的布局 | 第37-39页 |
3.2 基板的制作 | 第39-44页 |
3.2.1 A1_20_3 陶瓷直接敷铜基板 | 第39-40页 |
3.2.2 电路图形的设计与雕刻 | 第40-41页 |
3.2.3 实验过程 | 第41-44页 |
3.3 本章小结 | 第44-45页 |
第四章 基于纳米银焊膏的大面积芯片烧结工艺 | 第45-58页 |
4.1 应用于大面积芯片连接的纳米银低温烧结 | 第45-47页 |
4.2 多芯片模块的烧结方法 | 第47-51页 |
4.2.1 多芯片烧结中的问题 | 第47-48页 |
4.2.2 一次性烧结多个不同厚度芯片装置 | 第48-49页 |
4.2.3 焊膏印刷技术 | 第49-51页 |
4.3 纳米银焊膏烧结中所使用的设备 | 第51-54页 |
4.3.1 手动印刷台 | 第51页 |
4.3.2 恒温加热台 | 第51-52页 |
4.3.3 半自动贴片机 | 第52-53页 |
4.3.4 双面加热热压机 | 第53页 |
4.3.5 不同厚度芯片一次性烧结装置 | 第53-54页 |
4.4 实验过程 | 第54-57页 |
4.4.1 基板、设备和工具的清洁 | 第54页 |
4.4.2 焊膏的印刷 | 第54-55页 |
4.4.3 干燥 | 第55页 |
4.4.4 焊膏的二次印刷 | 第55页 |
4.4.5 贴片 | 第55-56页 |
4.4.6 加压烧结 | 第56-57页 |
4.5 本章小结 | 第57-58页 |
第五章 结论 | 第58-59页 |
5.1 本文的主要工作及结论 | 第58页 |
5.2 下一步工作建议及展望 | 第58-59页 |
参考文献 | 第59-63页 |
发表论文和参加科研情况说明 | 第63-64页 |
致谢 | 第64页 |