静电场加载同轴结构小轨道相对论电子微波激射器研究

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太赫兹电磁波在电磁频谱中占有非常特殊的位置,表现出很多不同于其它频段电磁辐射的优越特性,在许多领域都有着重要的学术价值和广泛的应用前景。目前,对太赫兹科学技术的研究已引起国际学术界的普遍关注和极大兴趣,成为国际高科技研究最前沿的领域之一。长期以来,缺乏有效的太赫兹电磁波辐射源成为限制太赫兹科学技术发展和应用的一个重要原因。探索产生太赫兹电磁波辐射的新机制和新方法就成了太赫兹科学技术领域的研究热点之一。自由电子激光(Free Electron Laser,缩写FEL)和基于电子回旋脉塞(Electron Cyclotron Maser,缩写ECM)工作原理的回旋管器件,被公认为是能够实现太赫兹波输出的有效器件。其中"Maser"一词,原是Microwave Amplification by Stimulated Emission of Radiation的缩写,其基本涵义是“受激辐射放大器”,所以maser国内通行的中文译法,音译为“脉塞”或“麦塞”,意译为“微波激射器”或“激射器”。本文研究一种加载静电压的同轴结构小轨道相对论电子回旋脉塞,以期获得高功率太赫兹自由电子辐射源的新知识,探索出一种具有结构横向电尺寸大、束-波互作用强、单色性好、工程成本低、结构紧凑等优点的新型千瓦级高功率太赫兹电磁波辐射源。本文所做的主要工作如下:(1)通过对大量相关文献的总结提炼,较为全面地回顾了国内、外静电场在电子回旋脉塞和自由电子激光中的应用和分析,进而提出了本文的研究思路。(2)建立了同轴结构静电场系统电子束-电磁波耦合互作用的基本模型,首先推导了同轴波导中TE模式的场表达式,然后在考虑了外加静电压的前提下得出了相对论性电子的运动方程,进而推导得到表征束-波能量交换的耦合方程,建立了加载静电压的同轴波导回旋脉塞的自洽非线性理论。对电子束-电磁波相互作用的过程进行了理论分析,并用FORTRAN语言编制了相应的程序。(3)建立了同轴结构静电场加载小轨道相对论电子的回旋自谐振脉塞(Cyclotron Autoresonance Maser,缩写CARM)放大器的非线性模拟模型,具体数值模拟了工作频率为0.14THz的情况,结果表明,加载静电压后,器件的饱和功率有了明显的提高。通过调整参数,与不加静电压(V0=0)时相比,饱和功率可增加22%,最大效率也从10.2%增加到了12.5%。文中还对一些主要参数进行了优化,包括外加静电压、横向纵向速率比、电子束导引中心半径的优化,并考察了电子束速度离散对输出功率的影响。(4)对同轴结构静电场加载小轨道相对论电子的回旋管(Gyrotron)放大器建立了理论模型,并对一种工作频率为0.14THz的情况进行了非线性模拟,然后对一些主要参数进行了调试和优化,包括外加静电压、横向纵向速率比、电子束导引中心半径的优化,并考察了电子束速度离散对输出功率的影响。结果发现:一是与不加静电压(V0=0)时相比可将回旋管的饱和功率提高18.6%;二是电子束初始横向速度离散的负面影响被减弱。(5)用电磁仿真软件CST对波纹壁边界的同轴结构静电系统进行了非线性模拟,得到了该系统中的场分布,并分析了波纹开槽的深度对场分布的影响。进一步将该系统用于调制相对论性电子的运动,通过跟踪电子的运动轨迹,发现该系统可以充当静电摇摆器,取代传统的静磁摇摆器。
摘要第6-8页
Abstract第8-9页
第1章 绪论第12-27页
    1.1 研究背景第12-20页
        1.1.1 电子回旋脉塞(ECM)原理第14-16页
        1.1.2 回旋自谐振脉塞(CARM)原理第16-20页
    1.2 国内外研究现状第20-24页
        1.2.1 同轴电子回旋脉塞器件研究现状第20-22页
        1.2.2 静电场在高功率微波源中的应用第22-24页
    1.3 本文研究思路和研究内容第24-27页
        1.3.1 研究思路第24-25页
        1.3.2 研究内容第25-27页
第2章 同轴静电场系统场分布及其对相对论性电子运动调制的非线性模拟第27-40页
    2.1 引言第27-29页
    2.2 光滑边界同轴结构静电场系统第29-30页
    2.3 波纹壁边界同轴结构静电场系统第30-31页
        2.3.1 静电摇摆器第30-31页
        2.3.2 布喇格结构第31页
    2.4 波纹壁边界同轴结构静电场系统的非线性模拟第31-38页
        2.4.1 仿真软件CST工作室介绍第31-33页
        2.4.2 理论模型第33-34页
        2.4.3 场分布的模拟结果第34-35页
        2.4.4 开槽深度对场分布的影响第35-36页
        2.4.5 对相对论性电子运动的调制第36-38页
    2.5 结论第38-40页
第3章 加载静电压的同轴波导放大器基本理论第40-58页
    3.1 引言第40-41页
    3.2 物理模型第41-44页
        3.2.1 线性理论与非线性理论第41-42页
        3.2.2 电磁场在光滑同轴波导中的分布第42-44页
    3.3 加载静电压的同轴波导放大器非线性模拟的理论基础第44-56页
        3.3.1 电子运动方程第45-47页
        3.3.2 束波耦合方程第47-53页
        3.3.3 数值计算方法第53-54页
        3.3.4 归一化及坐标变换第54-55页
        3.3.5 束波能量交换及精度监控方法第55-56页
    3.4 结论第56-58页
第4章 加载静电压的同轴CARM放大器非线性模拟分析第58-71页
    4.1 计算流程图第58页
    4.2 不加静电压时的非线性模拟第58-61页
    4.3 加载静电压后模拟结果分析第61-63页
    4.4 参数优化第63-69页
        4.4.1 外加静电压的优化第63-64页
        4.4.2 电子束横向纵向速率比的优化第64-66页
        4.4.3 横向速度离散的影响第66-68页
        4.4.4 导引中心半径的优化第68-69页
    4.5 结论第69-71页
第5章 加载静电压的同轴回旋管放大器的非线性模拟第71-83页
    5.1 加载静电压的同轴回旋管放大器非线性模拟分析第71-75页
        5.1.1 参数设置第71-72页
        5.1.2 模拟结果分析第72-75页
    5.2 参数优化第75-81页
        5.2.1 外加静电压的优化第75-76页
        5.2.2 电子束横向纵向速率比的优化第76-78页
        5.2.3 横向速度离散的影响第78-79页
        5.2.4 导引中心半径的优化第79-81页
    5.3 结论第81-83页
结论第83-85页
致谢第85-86页
主要参考文献第86-106页
攻读博士期间发表的论文及科研成果第106-107页
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