碳化硅作为第三代宽禁带半导体,具有禁带宽度大、电子饱和漂移速度高和热导率高等优势,是制备光导开关的优选材料。本文对钒补偿半绝缘6H-SiC光导开关进行了模拟仿真。本文采用的是钒（V）补偿半绝缘n型6H-SiC体材料为基底,非故意掺杂杂质为氮（N）和硼（B）,电极尺寸为10 mm?10 mm,厚度为1 mm。钒补偿下的暗态电阻比本征时增加了7-8个数量级,因此钒补偿有效地增加了6H-SiC的电阻率,实现了材料的半绝缘性。基于漂移-扩散理论建立光导开关模型,探讨了非故意掺杂N的浓度对光导开关性能的影响。随着N浓度的增大,光电流随之增大,但电流拖尾现象较为严重。当N的浓度增加至1.42?1017 cm-3,光功率密度为107 W/cm2时,光电流达到0.26 A/?m。从器件的通流能力方面考虑,氮的浓度越大,光导开关的通流能力越强。但为了保证材料的半绝缘性,采用n型SiC材料制备光导开关时N的浓度应小于V的浓度,此时载流子的寿命为定值。采用不同光功率密度的脉冲激光触发光导开关时,光电流的上升时间（?r）比下降时间（?d）短很多,理论分析表明二者存在一定的关系,由此可以计算钒受主杂质的光电离截面,其数量级在10166 s。进一步研究还发现光激发的量子效率随着光功率密度的增加而减小。
