高温CMOS模拟运算放大电路的研究与设计

近年来,随着科学技术和工业生产的飞速发展,尤其是在一些特殊的领域,对于电路的工作温度使用要求越来越高,高温微电子学也越来越受到重视,本文就是在前人的分析和研究基础之上,对高温CMOS模拟电路进行了进一步的分析和研究,并在理论分析的基础之上根据高温CMOS模拟电路的设计规则设计了一个二级CMOS模拟运算放大电路。论文的主要内容包括以下几个方面：1、对高温CMOS模拟放大电路的应用前景,发展历史及现有成果进行分析和说明,阐述了高温CMOS模拟放大电路在现代电子技术中的应用。2、分析了引起CMOS模拟放大电路在高温时性能不稳定的原因,结合萨式方程从理论上计算出高温CMOS模拟放大电路的温度特性,同时引入了零温度系数点理论探讨出高温CMOS模拟放大电路的设计规则。3、给出了具体的高温CMOS模拟放大电路的设计过程,包括四个构成部分,分别是：(1)加入了泄漏二极管的偏置级(2)带有偏置二极管的差分放大输入级(3)具有放大作用的中间级(4)由MOS管构成的带有泄漏二极管的互补输出级着重就高温CMOS模拟放大电路各部分的高温特性和设计方法进行了分析。4、阐述了高温CMOS模拟放大电路的频率补偿方法。5、根据前几章的设计规则和方法设计出符合要求的二级高温CMOS模拟放大电路。