压接式IGBT的电热特性与失效短路分析

压接式IGBT论文 压力不均论文 建模论文 有限元仿真论文
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中文摘要第3-4页
英文摘要第4-5页
1 绪论第8-16页
    1.1 课题背景及研究意义第8-10页
    1.2 国内外研究现状第10-14页
        1.2.1 柔性直流输电的现状第10-11页
        1.2.2 外部压力对模块内部电热分布影响的研究现状第11-12页
        1.2.3 压接式IGBT失效短路特性的研究现状第12-14页
    1.3 本文主要研究内容第14-16页
2 压接式IGBT特性的实验测试第16-32页
    2.1 引言第16-17页
    2.2 压接式IGBT模块结构及施压平台第17-19页
    2.3 压接式IGBT动静态测试平台第19-25页
        2.3.1 静态测试平台第19-22页
        2.3.2 动态测试平台第22-25页
    2.4 压接式IGBT静态特性与动态特性的测试第25-31页
        2.4.1 不同压力下压接式IGBT器件并联动态特性的测试第25-27页
        2.4.2 不同压力下压接式IGBT器件的静态特性第27-29页
        2.4.3 不同温度下压接式IGBT器件的静态特性第29-31页
    2.5 本章小结第31-32页
3 压接式IGBT模块的电热有限元建模第32-42页
    3.1 引言第32页
    3.2 多物理场耦合数学模型第32-35页
        3.2.1 电-热耦合数学模型第33-34页
        3.2.2 热-力耦合数学模型第34-35页
    3.3 单芯片压接式IGBT的有限元建模第35-38页
        3.3.1 单芯片的有限元模型第35-36页
        3.3.2 多物理场边界条件设置第36-38页
    3.4 并联芯片的有限元建模第38-39页
        3.4.1 建模的理论基础第38页
        3.4.2 模拟并联芯片的有限元模型第38-39页
    3.5 1500 A模块的有限元建模第39-41页
        3.5.1 多物理场边界条件设置第39页
        3.5.2 有限元模型第39-41页
    3.6 本章小结第41-42页
4 压力不均对并联芯片特性影响的实验和仿真第42-52页
    4.1 引言第42页
    4.2 基于并联压接式IGBT模型的仿真分析第42-46页
    4.3 并联压接式IGBT模型的实验验证第46-48页
        4.3.1 并联实验平台搭建第46页
        4.3.2 实验结果分析第46-48页
    4.4 1500 A压接式IGBT模块中电热分布仿真分析第48-50页
    4.5 本章小结第50-52页
5 压接式IGBT的失效短路及其耐久性实验分析第52-70页
    5.1 引言第52-53页
    5.2 单芯片压接式IGBT失效短路机理第53-54页
    5.3 失效短路的模拟实验第54-61页
        5.3.1 实验平台第54-55页
        5.3.2 实验结果的分析第55-61页
    5.4 失效短路后的持续性分析第61-64页
        5.4.1 短路芯片的老化实验平台第61-63页
        5.4.2 短路芯片的老化分析第63-64页
    5.5 大电流脉冲补充实验第64-69页
        5.5.1 实验平台第64-66页
        5.5.2 实验结果分析第66-69页
    5.6 本章小结第69-70页
6 总结和展望第70-72页
    6.1 结论第70页
    6.2 展望第70-72页
致谢第72-74页
参考文献第74-78页
附录第78页
    A.作者在攻读硕士学位期间发表的论文目录第78页
    B.作者在攻读硕士学位期间参加的科研项目第78页
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