基于浮空场板结构的槽型SOI LDMOS器件研究

SOILDMOS论文氧化槽论文浮空纵向场板论文对称浮空纵向双场板论文击穿电压论文

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中文摘要	第3-5页
英文摘要	第5-6页
1 绪论	第9-19页
1.1 SOI技术	第9-11页
1.2 SOILDMOS器件概述	第11-16页
1.2.1 SOILDMOS国内外研究现状	第11-12页
1.2.2 SOILDMOS耐压技术	第12-16页
1.3 本文的主要工作及创新点	第16-19页
2 槽型SOILDMOS器件结构特性研究	第19-31页
2.1 槽型SOILDMOS器件的击穿特性研究	第19-23页
2.1.1 槽型SOILDMOS器件横向耐压	第21-22页
2.1.2 槽型SOILDMOS器件纵向耐压	第22-23页
2.2 槽型SOILDMOS器件的导通特性研究	第23-26页
2.2.1 槽型SOILDMOS器件源区电阻RS	第24页
2.2.2 槽型SOILDMOS器件沟道电阻RCH	第24-25页
2.2.3 槽型SOILDMOS器件积累层电阻RA	第25页
2.2.4 槽型SOILDMOS器件漂移区电阻RDr	第25页
2.2.5 槽型SOILDMOS器件漏区电阻RD	第25页
2.2.6 槽型SOILDMOS器件总比导通电阻Ron,sp	第25-26页
2.3 槽型SOILDMOS器件参数对特性的影响	第26-29页
2.3.1 氧化槽宽度WT	第26-27页
2.3.2 氧化槽深度DT	第27-28页
2.3.3 漂移区浓度Nd	第28-29页
2.4 本章小结	第29-31页
3 浮空纵向场板槽型SOILDMOS器件	第31-47页
3.1 浮空纵向场板的引入	第31-33页
3.2 FVFPTSOILDMOS器件工作原理	第33页
3.3 FVFPTSOILDMOS器件特性研究	第33-39页
3.3.1 击穿特性研究	第33-35页
3.3.2 导通特性研究	第35-37页
3.3.3 开关特性研究	第37-38页
3.3.4 温度特性研究	第38-39页
3.4 FVFPTSOILDMOS器件参数分析	第39-45页
3.5 工艺流程设计	第45-46页
3.6 本章小结	第46-47页
4 对称浮空纵向双场板槽型SOILDMOS	第47-65页
4.1 对称浮空纵向双场板的引入	第47-49页
4.2 SDFVFPTSOILDMOS器件工作原理	第49页
4.3 SDFVFPTSOILDMOS器件特性研究	第49-55页
4.3.1 击穿特性研究	第49-52页
4.3.2 导通特性研究	第52-53页
4.3.3 开关特性研究	第53-54页
4.3.4 温度特性研究	第54-55页
4.4 SDFVFPTSOILDMOS器件参数分析	第55-62页
4.5 工艺流程设计	第62-63页
4.6 本章小结	第63-65页
5 总结与展望	第65-67页
致谢	第67-69页
参考文献	第69-73页
附录	第73页
A.作者在攻读学位期间发表的论文目录	第73页
B.作者在攻读学位期间获奖情况	第73页

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论文编号ABS4590813，这篇论文共73页

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