As掺杂p型ZnO薄膜的生长及ZnO/GaAs异质结电致发光特性的研究
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ZnO作为一种宽禁带半导体材料(Eg≈3.3eV),其激子束缚能高达60meV,比室温热离化能26meV大很多,是一种合适的用于室温或更高温度下的紫外发光材料,具有大束缚能的激子更容易在室温下实现高效率的受激发射。因此,对ZnO的研究已成为继GaN之后宽禁带半导体研究的又一热点。本论文的主要工作是利用等离子增强MOCVD法在GaAs衬底和溅射了GaAs层的常用半导体衬底上生长ZnO薄膜。退火后通过GaAs衬底上As的扩散,得到p型ZnO薄膜,并论证了As原子在ZnO薄膜中形成AsZn-2VZn缺陷是导致薄膜转变为p型的原因。同时采用同样的生长方法,在GaAs衬底上形成ZnO/GaAs异质结二极管,绘制并分析讨论了器件的I-V曲线和异质结结构的能带示意图,解释了p-ZnO/n-GaAs结构的电致发光现象。另外,我们创新出一种相对经济的方法生长p-ZnO薄膜。我们采用溅射的衬底成功地只把As原子引入到ZnO薄膜当中,经过hall测试,确定导电类型为P型。实验结果表明,在溅射了GaAs层的衬底上生长的ZnO薄膜的晶体质量和光致发光特性良好。
提要 | 第4-7页 |
第一章 前言 | 第7-24页 |
1.1 氧化锌材料的研究历史 | 第7-8页 |
1.2 氧化锌材料的研究现状 | 第8-11页 |
1.3 氧化锌材料的性质 | 第11-12页 |
1.4 氧化锌材料的生长方法 | 第12-14页 |
1.5 氧化锌材料的应用 | 第14-20页 |
1、ZnO 薄膜中可能存在的深能级 | 第15-16页 |
2、ZnO 薄膜的辐射复合发光 | 第16-20页 |
1.6 本论文的主要工作 | 第20-21页 |
本章参考文献 | 第21-24页 |
第二章 生长ZnO 的MOCVD 反应系统和样品的表征 | 第24-33页 |
2.1 MOCVD 技术简介 | 第24-29页 |
2.1.1 MOCVD 生长ZnO 薄膜源材料的选择 | 第26-27页 |
2.1.2 生长ZnO 薄膜的等离子体增强MOCVD 系统的设计 | 第27-29页 |
2.2 样品的表征 | 第29-32页 |
本章参考文献 | 第32-33页 |
第三章 As 掺杂P 型ZnO 薄膜的研究 | 第33-49页 |
3.1 杂质扩散理论 | 第33-35页 |
一、原子扩散机理 | 第33-34页 |
二、扩散的表象学描述 | 第34-35页 |
3.2 As 在ZnO 薄膜中的状态 | 第35-40页 |
3.3 溅射衬底上生长P 型ZnO 薄膜 | 第40-46页 |
一、实验设计 | 第41页 |
二、实验操作 | 第41-42页 |
1. 衬底的制备 | 第41页 |
2. ZnO 薄膜的生长 | 第41-42页 |
三、结果分析 | 第42-46页 |
3.4 本章小结 | 第46-48页 |
本章参考文献 | 第48-49页 |
第四章 基于ZnO 材料的器件的光电特性的研究 | 第49-58页 |
4.1 基于ZnO 薄膜的器件结构 | 第49-50页 |
4.2 Au/Zn 电极的欧姆接触特性 | 第50-51页 |
4.3 ZnO/GaAs 异质结电致发光分析 | 第51-56页 |
①器件的制备 | 第52-53页 |
②I-V 曲线分析 | 第53-56页 |
4.4 本章小结 | 第56-57页 |
本章参考文献 | 第57-58页 |
结论 | 第58-59页 |
摘要 | 第59-62页 |
Abstract | 第62-64页 |
致谢 | 第65页 |
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