摘要 | 第5-6页 |
Abstract | 第6页 |
第一章 绪论 | 第7-16页 |
1.1 大功率超短脉冲激光技术的发展 | 第7-14页 |
1.1.1 国内外大功率飞秒激光的发展现状 | 第7-9页 |
1.1.2 超短脉冲的产生与放大原理 | 第9-14页 |
1.2 大功率超短脉冲激光的应用 | 第14页 |
1.3 本论文研究的主要内容 | 第14-16页 |
第二章 调Q和锁模的理论研究 | 第16-34页 |
2.1 调Q(Q开关)技术的理论研究 | 第16-26页 |
2.1.1 调Q的基本原理 | 第16-19页 |
2.1.2 调Q激光器的基本理论 | 第19-24页 |
2.1.3 电光调Q | 第24-26页 |
2.2 锁模技术的理论研究 | 第26-33页 |
2.2.1 多模激光器的输出特性 | 第27页 |
2.2.2 锁模的基本原理 | 第27-28页 |
2.2.3 锁模的方法 | 第28-33页 |
2.3 调Q和锁模的结合 | 第33-34页 |
第三章 半导体可饱和吸收镜 | 第34-44页 |
3.1 半导体可饱和吸收镜的诞生 | 第34-35页 |
3.2 半导体可饱和吸收体 | 第35-36页 |
3.3 半导体可饱和吸收镜的宏观特性 | 第36-39页 |
3.3.1 饱和恢复时间 | 第36-37页 |
3.3.2 调制深度 | 第37-38页 |
3.3.3 非饱和损耗 | 第38页 |
3.3.4 饱和通量 | 第38-39页 |
3.3.5 饱和光强 | 第39页 |
3.4 半导体可饱和吸收镜的结构和类型 | 第39-42页 |
3.4.1 高精细度反谐振法-珀型 | 第40-41页 |
3.4.2 无谐振型 | 第41页 |
3.4.3 低精细度反谐振法-珀型 | 第41-42页 |
3.4.4 色散补偿型 | 第42页 |
3.5 半导体可饱和吸收镜锁模类型 | 第42-44页 |
第四章 LD泵浦全固态激光器的热效应分析 | 第44-54页 |
4.1 LD端面泵浦激光器热效应 | 第44-46页 |
4.1.1 热透镜效应(thermal lens effect) | 第44-45页 |
4.1.2 热透镜焦距的测量方法 | 第45页 |
4.1.3 热破裂(thermal fracture) | 第45-46页 |
4.1.4 热致损耗(thermal induced losses) | 第46页 |
4.1.5 热致双折射和热退偏 | 第46页 |
4.2 LD侧面泵浦激光器热效应研究 | 第46-54页 |
4.2.1 泵浦光功率分布计算模型 | 第47-49页 |
4.2.2 温度分布计算模型 | 第49-50页 |
4.2.3 热传导系数λ_W的计算 | 第50-51页 |
4.2.4 数值模拟结果及其分析 | 第51-54页 |
第五章 激光器的设计 | 第54-84页 |
5.1 激光器的结构 | 第54-56页 |
5.1.1 基本结构 | 第54-55页 |
5.1.2 激光腔结构 | 第55-56页 |
5.2 固体激光器的泵浦 | 第56-68页 |
5.2.1 泵浦光源 | 第56-58页 |
5.2.2 激光器的泵浦方式 | 第58-60页 |
5.2.3 激光二极管(LD)侧面泵浦条件下工作物质内增益分布特性的研究 | 第60-68页 |
5.3 调Q方法的选取 | 第68-71页 |
5.3.1 调制晶体材料的选择 | 第69-70页 |
5.3.2 调制晶体的电极结构 | 第70-71页 |
5.3.3 对激光工作物质的要求 | 第71页 |
5.3.4 对Q开关控制电路的要求 | 第71页 |
5.4 锁模方法的选取 | 第71-75页 |
5.4.1 半导体可饱和吸收镜(SESAM)锁模技术 | 第71-73页 |
5.4.2 半导体可饱和吸收镜的设计原则 | 第73-75页 |
5.5 LDA准直系统的研究 | 第75-83页 |
5.5.1 半导体激光器列阵的结构 | 第75-76页 |
5.5.2 半导体激光器列阵的远场特性 | 第76-78页 |
5.5.3 半导体激光器的空间模式 | 第78-80页 |
5.5.4 棱镜整形技术 | 第80-83页 |
5.6 小结 | 第83-84页 |
总结与展望 | 第84-85页 |
总结 | 第84页 |
展望 | 第84-85页 |
致谢 | 第85-86页 |
参考文献 | 第86-89页 |
硕士研究生期间发表的论文 | 第89-90页 |