在半导体制造中使用物理气相沉积代替化学气相沉积来生长氮化钛阻挡层

本文采用物理气相沉积方法,并且结合半导体相关理论,对优化半导体整体制程中的氮化钛阻挡层的生长进行了深入的研究。本文介绍了半导体芯片制造的工艺流程,以及具体介绍物理气相沉积工艺的特性和控制参数。基本上整个完整的VLSI元件,是由层数不等且材质厚度均不同的薄膜,经多次光刻及蚀刻的加工后,所组合而成的。而将这些薄膜覆盖在晶片上所需要的技术,便是所谓的薄膜沉积及薄膜成长等技术。薄膜沉积技术的发展,从早期的蒸镀开始至今,以发展成为两个主要的方向:物理气相沉积及化学气相沉积。前者主要是借着物理的现象,而后者则主要是以化学反应的方式,来进行薄膜的沉积。在对物理气相沉积的工艺要求、工艺程式的设定进行介绍的基础上,使用试验用的芯片进行物理气相沉积方法代替化学沉积方法的研究和试验,并最终得到了满意的结果。