摘要 | 第3-5页 |
ABSTRACT | 第5-7页 |
第一章 ZnO 薄膜生长及其特性研究进展 | 第12-34页 |
1.1 引言 | 第12-13页 |
1.2 ZnO 的基本性质 | 第13-17页 |
1.2.1 ZnO 的晶体结构 | 第15页 |
1.2.2 ZnO 的光学性质 | 第15-17页 |
1.2.3 ZnO 的电学性质 | 第17页 |
1.3 ZnO 薄膜的制备方法 | 第17-20页 |
1.3.1 分子束外延技术 | 第17-18页 |
1.3.2 磁控溅射法 | 第18页 |
1.3.3 脉冲激光沉积法 | 第18-19页 |
1.3.4 金属有机化学气相沉积 | 第19-20页 |
1.4 Si 基 ZnO 薄膜的生长及其性能研究进展 | 第20-24页 |
1.5 氢掺杂 ZnO 及其性能研究 | 第24-32页 |
1.5.1 氢在 ZnO 中的结构和能级位置 | 第24-27页 |
1.5.2 氢对 ZnO 晶体质量和表面形貌的影响 | 第27-28页 |
1.5.3 氢在 ZnO 中的稳定性 | 第28-29页 |
1.5.4 氢对 ZnO 光学性能的影响 | 第29-30页 |
1.5.5 氢对 ZnO 电学性能的影响 | 第30-31页 |
1.5.6 氢在 ZnO 中的红外光谱和拉曼光谱研究 | 第31页 |
1.5.7 氢对 ZnO 的 p 型掺杂的影响 | 第31-32页 |
1.6 本论文的主要研究内容及工作安排 | 第32-34页 |
第二章 ZnO 薄膜生长的 MOCVD 系统及生长工艺 | 第34-44页 |
2.1 MOCVD 技术简介 | 第34-36页 |
2.2 本论文生长 ZnO 薄膜使用的自制 MOCVD 生长系统 | 第36-38页 |
2.3 ZnO 薄膜 MOCVD 生长用源材料 | 第38-40页 |
2.4 ZnO 薄膜 MOCVD 生长用衬底材料 | 第40-42页 |
2.5 ZnO 薄膜 MOCVD 外延生长基本工艺 | 第42-43页 |
2.6 小结 | 第43-44页 |
第三章 ZnO:H 薄膜的生长及其性能研究 | 第44-68页 |
3.1 引言 | 第44-45页 |
3.2 ZnO:H 薄膜的生长及其结构、光学特性研究 | 第45-56页 |
3.2.1 ZnO:H 薄膜的生长条件 | 第45页 |
3.2.2 ZnO:H 薄膜的结构特性 | 第45-49页 |
3.2.3 ZnO:H 薄膜的光学特性 | 第49-54页 |
3.2.4 ZnO:H 薄膜的表面成分分析 | 第54-56页 |
3.3 退火对 ZnO:H 薄膜的结构及光学性能影响 | 第56-63页 |
3.3.1 退火对 ZnO:H 薄膜的结构特性的影响 | 第56-59页 |
3.3.2 退火对 ZnO:H 薄膜的光学特性的影响 | 第59-63页 |
3.4 生长温度对氢掺入的影响 | 第63-67页 |
3.5 本章结论 | 第67-68页 |
第四章 MOCVD 法在 Ti/Si 模板上生长 ZnO 薄膜及其性能研究 | 第68-93页 |
4.1 引言 | 第68-69页 |
4.2 金属 Ti 过渡层、衬底 Si(111) 和 ZnO 薄膜之间的相互关系 | 第69-71页 |
4.3 Ti/Si(111) 模板的制备 | 第71-72页 |
4.4 金属 Ti 过渡层的引入对 Si(111) 上生长 ZnO 薄膜的影响 | 第72-78页 |
4.4.1 实验 | 第72-73页 |
4.4.2 结构特性 | 第73-74页 |
4.4.3 表面形貌 | 第74-75页 |
4.4.4 发光特性 | 第75-78页 |
4.4.5 小结 | 第78页 |
4.5 不同锌源 (DMZn 和 DEZn) 对 Ti/Si 模板上生长 ZnO 薄膜的影响 | 第78-86页 |
4.5.1 实验 | 第79-80页 |
4.5.2 结构特性 | 第80-82页 |
4.5.3 表面形貌 | 第82-83页 |
4.5.4 发光特性 | 第83-86页 |
4.5.5 小结 | 第86页 |
4.6 缓冲层厚度对 Ti/Si 模板上生长 ZnO 薄膜的影响 | 第86-92页 |
4.6.1 实验 | 第86-87页 |
4.6.2 结构特性 | 第87-89页 |
4.6.3 表面形貌 | 第89-90页 |
4.6.4 发光特性 | 第90-92页 |
4.6.5 小结 | 第92页 |
4.7 本章结论 | 第92-93页 |
第五章 MOCVD 法在 Ag/Si 模板上生长 ZnO 薄膜及其性能研究 | 第93-116页 |
5.1 引言 | 第93-94页 |
5.2 金属 Ag 过渡层、衬底 Si(111)和 ZnO 薄膜之间的相互关系 | 第94页 |
5.3 Ag/Si(111) 模板的制备 | 第94-95页 |
5.4 ZnO/Ag/Si(111) 的生长 | 第95-98页 |
5.4.1 实验 | 第95页 |
5.4.2 结构特性 | 第95-97页 |
5.4.3 表面形貌 | 第97页 |
5.4.4 发光特性 | 第97-98页 |
5.4.5 小结 | 第98页 |
5.5 衬底温度对 Ag/Si(111)模板上生长 ZnO 薄膜的影响 | 第98-104页 |
5.5.1 实验 | 第98页 |
5.5.2 结构特性 | 第98-101页 |
5.5.3 表面形貌 | 第101-103页 |
5.5.4 发光特性 | 第103-104页 |
5.5.5 小结 | 第104页 |
5.6 生长速率与生长模式的关系 | 第104-110页 |
5.6.1 实验 | 第105-107页 |
5.6.2 结构特性 | 第107-108页 |
5.6.3 表面形貌 | 第108-109页 |
5.6.4 发光特性 | 第109-110页 |
5.6.5 小结 | 第110页 |
5.7 缓冲层生长过程中 DEZn 流量对生长的影响 | 第110-115页 |
5.7.1 实验 | 第111页 |
5.7.2 结构特性 | 第111-113页 |
5.7.3 表面形貌 | 第113-114页 |
5.7.4 发光特性 | 第114页 |
5.7.5 小结 | 第114-115页 |
5.8 本章结论 | 第115-116页 |
第六章 总结 | 第116-118页 |
致谢 | 第118-119页 |
参考文献 | 第119-138页 |
攻读学位期间的研究成果 | 第138页 |