ZnO及其掺杂薄膜结构与性质研究
氧化锌薄膜论文 脉冲激光沉积论文 XRD论文 光致发光论文 金属—半导体接触论文
论文详情
氧化锌(ZnO)是一种新型直接宽带隙半导体材料,室温下禁带宽度为3.37eV,激子束缚能为60meV,有优良的物理和化学性质,在平板显示器、太阳能电池、紫外探测器和透明导电薄膜等领域有广泛的应用前景。尽管人们已对ZnO薄膜进行了研究,并取得了一些有价值的研究成果,但目前ZnO薄膜的质量没有达到实用化要求,因此制备高质量的ZnO薄膜是目前研究的一个重要方向。脉冲激光沉积(PLD)法是一种有效的方法。ZnO优异的光电性能被广泛研究的同时,在ZnO基质中掺入外来的离子从而改变ZnO结构性能更是拓宽了ZnO潜在的应用领域。作为一种重要的红光发光中心,稀土Eu3+近年来被广泛关注。稀土Eu3+掺杂ZnO的研究引起了人们的兴趣,但基于PLD法制备的稀土Eu3+掺杂ZnO研究很少。ZnO基器件大多选用Au、Ag、Pt及ITO等比较昂贵的电极,考虑到铜良好的导电性、较强的抗电迁移性能和较低的成本,我们尝试用铜作电极得到了MSM结构的Cu/ZnO接触。本文研究的主要内容包括以下几个方面:1.利用PLD技术在S(i111)衬底上生长了ZnO薄膜,通过XRD测试和光致发光(PL)谱分析研究了衬底温度、氧流量和缓冲层对样品的结构和发光性能的影响。XRD研究结果表明,所有样品仅出现ZnO(002)衍射峰,说明样品具有很好的c轴择优取向。随着衬底温度的升高,衍射峰半高宽(FWHM)先减小后增加,当衬底温度为300℃时,FWHM最小,结晶质量最好。当氧流量较小时,结晶质量较差。随着氧流量的增加,衍射峰强度增大,FWHM减小;氧流量为10sccm时,衍射峰最强,FWHM最小;当氧流量继续增加,半高宽增大,结晶质量变差。随着缓冲层厚度的增加,外延层的结晶质量逐步提高,当脉冲个数为1000时,FWHM最小。但是当缓冲层厚度继续增加时,ZnO外延层结晶质量变差。PL谱研究表明,当用350nm的光激发样品时,样品呈现三个发光带,分别是位于380nm左右的紫外发射、440-480nm范围的蓝光发射和位于600nm左右的橙黄发射。PL谱测试结果表明,制备条件对样品发光强度影响较大。随着衬底温度从室温增加到300℃,样品的发光强度逐渐增加,但当温度升高到400℃时,发光强度又降低。发光强度随氧流量的变化规律与随衬底温度的变化规律相似,当氧流量为10sccm时样品发光最强。研究还发现,有缓冲层时样品的发光明显增强,当缓冲层脉冲个数为1000时样品发光增强,和真空中生长的样品相比,外延层在有氧气氛中制备的样品发光较强。通过CIE标准色度学对样品的色度表征结果表明,所有样品均呈现白光发射,在白光LED荧光粉方面有潜在的应用前景。2.利用PLD技术在Si(111)衬底上制备了ZnO:Eu3+,Li+薄膜,分别研究了生长氧压、退火气氛和退火温度对样品结构和发光性质的影响。XRD谱研究表明,所有样品均仅出现ZnO基质的(002)衍射峰,说明Eu3+已进入ZnO基质晶格,没有单独形成结晶氧化物。随着氧压的增加, FWHM先减小后增加,氧压为0.3Pa时达到最小。随着氧压的增大,晶面间距逐渐减小,但由于Eu3+进入了ZnO晶格,薄膜晶面间距均大于ZnO材料的标准值。和真空中退火的样品相比,氧气气氛中退火的样品的FWHM较小,薄膜结晶质量较好。在真空中退火时,当退火温度为550℃时样品衍射峰强度最大,FWHM最小,结晶质量最好。PL谱研究表明:(1)对于不同氧压下生长的样品,当用325nm的光激发时,所有样品的发光主要由ZnO基质的紫外发射和绿光发射组成,并没有出现稀土Eu3+的特征发射峰。随着氧压的变化,峰位变化较小,发光强度变化较大。当用395nm的光激发样品时,在613nm处出现明显的Eu3+电偶极(5D0→7F2)跃迁发光峰,随着氧压的增加,Eu3+的特征发光峰明显增强。(2)对于退火的样品,用395nm的光激发样品时,光谱中没有出现Eu3+位于613nm的特征发光峰,这表明退火处理不利于Eu3+的电偶极(5D0→7F2)跃迁,而且随着退火温度的增加并没有改变这一现象。本研究为实现基于Eu3+、Li+共掺杂的ZnO材料的应用进行了有意义的探索。3.利用PLD法在Si (111)衬底上分别生长了ZnO薄膜和Cu薄膜,用Cu薄膜作电极,研究了ZnO薄膜与Cu薄膜的接触特性。分别用X射线衍射仪、扫描电子显微镜(SEM)和I-V测试的方法对样品的晶体质量、结构和电学性质进行了分析。结果表明,样品中ZnO薄膜和Cu薄膜均具有高度的择优取向;退火前Cu薄膜表面不均匀,晶粒不明显,结晶质量较差;退火后,有明显的晶粒出现,晶粒均匀致密,Cu薄膜结晶质量得到明显改善。当Cu和ZnO直接接触时,样品的I-V特性是非线性的;当Cu和ZnO之间通过ZnO:Cu层间接接触时形成良好的欧姆接触,而且退火后欧姆接触性能明显提高,电阻率降低约2/3。本研究为价格低廉的Cu电极成为ZnO基器件的欧姆电极提供了一定的依据。
摘要 | 第3-5页 |
Abstract | 第5-7页 |
目录 | 第8-11页 |
第一章 绪论 | 第11-27页 |
1.1 引言 | 第11页 |
1.2 纳米材料 | 第11-14页 |
1.3 半导体材料简介 | 第14-15页 |
1.4 ZnO 简介 | 第15-20页 |
1.4.1 ZnO 的基本性质 | 第15-18页 |
1.4.2 ZnO 的应用 | 第18-19页 |
1.4.3 ZnO 掺杂 | 第19-20页 |
1.5 稀土简介 | 第20-25页 |
1.5.1 稀土材料 | 第20-22页 |
1.5.2 稀土离子 | 第22-23页 |
1.5.3 Eu 掺杂 ZnO 薄膜的研究进展 | 第23-25页 |
1.6 本论文研究的主要内容和意义 | 第25-27页 |
第二章 ZnO 薄膜制备方法及检测技术 | 第27-36页 |
2.1 ZnO 薄膜制备方法 | 第27-32页 |
2.1.1 有机金属化学气相沉积(MOCVD) | 第27页 |
2.1.2 分子束外延(MBE) | 第27-29页 |
2.1.3 磁控溅射(MS)技术 | 第29页 |
2.1.4 溶胶一凝胶(Sol-Gel)技术 | 第29-30页 |
2.1.5 水热法(Hydrothermalmethod) | 第30页 |
2.1.6 脉冲激光沉积(PLD) | 第30-32页 |
2.2 常用的薄膜检测技术 | 第32-36页 |
2.2.1 X 射线衍射(XRD) | 第32-33页 |
2.2.2 扫描电子显微(SEM) | 第33-34页 |
2.2.3 光致荧光光谱(PL) | 第34-36页 |
第三章 ZnO 薄膜结构和发光性质的研究 | 第36-55页 |
3.1 引言 | 第36页 |
3.2 样品制备及测量 | 第36-38页 |
3.3 实验结果与讨论 | 第38-53页 |
3.3.1 衬底温度对 ZnO 薄膜结构和发光性质的影响 | 第38-44页 |
3.3.1.1 样品结构分析 | 第38-40页 |
3.3.1.2 样品 PL 谱分析 | 第40-44页 |
3.3.2 氧流量对 ZnO 薄膜结构和光学性质的影响 | 第44-48页 |
3.3.2.1 样品结构分析 | 第44-46页 |
3.3.2.2 样品 PL 谱分析 | 第46-48页 |
3.3.3 同质缓冲层对 ZnO 薄膜的结构和发光性质的影响 | 第48-53页 |
3.3.3.1 样品结构分析 | 第48-50页 |
3.3.3.2 样品 PL 谱分析 | 第50-53页 |
3.4 本章小节 | 第53-55页 |
第四章 铕掺杂 ZnO 薄膜结构和光学性质研究 | 第55-68页 |
4.1 引言 | 第55页 |
4.2 样品制备及测量 | 第55-56页 |
4.3 实验结果与讨论 | 第56-67页 |
4.3.1 氧压对 ZnO:Eu3+,Li+薄膜结构与光学性质的影响 | 第56-62页 |
4.3.1.1 样品结构分析 | 第56-60页 |
4.3.1.2 样品 PL 谱分析 | 第60-62页 |
4.3.2 退火气氛对 ZnO:Eu3+,Li+薄膜结构和发光性质研究 | 第62-64页 |
4.3.2.1 样品结构分析 | 第62-63页 |
4.3.2.2 样品 PL 谱分析 | 第63-64页 |
4.3.3 退火温度对 ZnO:Eu3+,Li+薄膜结构和发光性质的影响 | 第64-67页 |
4.3.3.1 样品结构分析 | 第64-66页 |
4.3.3.2 样品 PL 谱分析 | 第66-67页 |
4.4 本章小节 | 第67-68页 |
第五章 MSM 结构 ZnO/Cu 薄膜欧姆接触特性研究 | 第68-77页 |
5.1 引言 | 第68页 |
5.2 金属-半导体欧姆接触理论 | 第68-71页 |
5.3 样品制备与测量 | 第71-72页 |
5.4 结果与讨论 | 第72-76页 |
5.4.1 不同接触类型对样品 XRD 图谱的影响 | 第72-73页 |
5.4.2 退火对 Cu-ZnO:Cu-ZnO 接触样品结构的影响 | 第73-74页 |
5.4.2.1 退火对 Cu-ZnO:Cu-ZnO 接触样品表面形貌的影响 | 第73页 |
5.4.2.2 退火处理对 Cu-ZnO:Cu-ZnO 接触样品 XRD 图谱的影响 | 第73-74页 |
5.4.3 样品的 I-V 特性分析 | 第74-76页 |
5.4.3.1 不同接触类型对样品 I-V 特性的影响 | 第74-75页 |
5.4.3.2 退火对 Cu-ZnO:Cu-ZnO 接触样品 I-V 特性的影响 | 第75-76页 |
5.5 本章小节 | 第76-77页 |
第六章 总结与展望 | 第77-80页 |
参考文献 | 第80-88页 |
攻读博士学位期间发表和完成的学术论文 | 第88-90页 |
致谢 | 第90页 |
论文购买
论文编号
ABS542601,这篇论文共90页
会员购买按0.30元/页下载,共需支付
27。
不是会员,
注册会员!
会员更优惠
充值送钱!
直接购买按0.5元/页下载,共需要支付
45。
只需这篇论文,无需注册!
直接网上支付,方便快捷!
相关论文