压接式IGBT器件功率循环试验及寿命预测
压接式IGBT论文 功率循环试验论文 失效机理论文
论文详情
| 中文摘要 | 第3-5页 |
| 英文摘要 | 第5-6页 |
| 1 绪论 | 第9-17页 |
| 1.1 研究背景及意义 | 第9-10页 |
| 1.2 国内外研究现状 | 第10-15页 |
| 1.2.1 IGBT封装形式的发展历程和研究现状 | 第10-13页 |
| 1.2.2 可靠性分析方法研究现状 | 第13-14页 |
| 1.2.3 IGBT寿命预测模型研究现状 | 第14-15页 |
| 1.3 论文研究的主要内容 | 第15-17页 |
| 2 压接式IGBT失效机理与薄弱环节分析 | 第17-27页 |
| 2.1 引言 | 第17页 |
| 2.2 压接式IGBT失效机理概述 | 第17-18页 |
| 2.3 压接式IGBT模块薄弱环节分析 | 第18-26页 |
| 2.3.1 压接式IGBT多物理场建模 | 第20-23页 |
| 2.3.2 模块薄弱环节分析 | 第23-26页 |
| 2.4 本章小结 | 第26-27页 |
| 3 压接式IGBT器件功率循环老化试验平台研制 | 第27-45页 |
| 3.1 引言 | 第27页 |
| 3.2 功率循环老化试验平台设计目标 | 第27-28页 |
| 3.3 功率循环老化试验平台硬件设计 | 第28-38页 |
| 3.3.1 单芯片压接式IGBT模块封装设计 | 第28-32页 |
| 3.3.2 压接式夹具设计 | 第32-34页 |
| 3.3.3 电路设计 | 第34-36页 |
| 3.3.4 温度测量和水冷系统设计 | 第36-38页 |
| 3.4 功率循环老化试验平台软件设计 | 第38-43页 |
| 3.4.1 功率循环试验老化试验方案设计 | 第38-40页 |
| 3.4.2 上位机控制程序设计 | 第40-43页 |
| 3.5 本章小结 | 第43-45页 |
| 4 压接式IGBT器件功率循环试验及失效机理验证 | 第45-59页 |
| 4.1 引言 | 第45-46页 |
| 4.2 试验平台测试 | 第46-49页 |
| 4.3 压接式IGBT功率循环试验结果分析 | 第49-56页 |
| 4.3.1 试验中的失效机理分析 | 第49-53页 |
| 4.3.2 未烧结芯片与烧结芯片对比 | 第53-55页 |
| 4.3.3 不同外加压力下对比 | 第55-56页 |
| 4.4 本章小结 | 第56-59页 |
| 5 压接式IGBT器件寿命预测建模 | 第59-69页 |
| 5.1 引言 | 第59页 |
| 5.2 寿命模型 | 第59-61页 |
| 5.3 Morrow模型 | 第61-63页 |
| 5.4 Coffin-Manson改进模型 | 第63-66页 |
| 5.5 本章小结 | 第66-69页 |
| 6 结论与展望 | 第69-71页 |
| 6.1 结论 | 第69-70页 |
| 6.2 工作展望 | 第70-71页 |
| 致谢 | 第71-73页 |
| 参考文献 | 第73-77页 |
| 附录 | 第77页 |
| A.作者在攻读硕士学位期间发表的论文目录 | 第77页 |
| B.作者在攻读硕士学位期间参加的科研项目 | 第77页 |
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